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全碳化硅功率器件 CHF600R12LC3

電壓1200V,電流600A,Econo DUAL封裝,具有大功率、高頻率、高可靠性等優點。

其他化合物半導體 GaSb

是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料,產品具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優點,可廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池等

其他化合物半導體 InAs

可用于制作波長2——12μm的紅外發光器件及中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。

其他化合物半導體 InP

具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。

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